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Accueil du site > Semiconducteurs, Matériaux et Capteurs > Equipe : Matériaux, Composants, Capteurs et Biocapteurs > Thème : Composants et Capteurs

Thème : Composants et Capteurs

Présentation

Notre expertise en mesures optique et électrique est dédiée à l’étude des semiconducteurs et des capteurs à base de nanostructures. Nos deux axes de recherche sont la physique et la nanophysique des composés III-V d’une part et l’ axe « matériau » qui concerne les semiconducteurs à large bande interdite et le graphène d’autre part. Le premier axe met à profit les connaissances d’une recherche fondamentale dans des actions de physique appliquée (capteurs GaAs/GaInAs/GaAlAs à effet Hall, composants à base de nitrure, photodiodes à base de super réseaux InAs/GaSb). Dans le deuxième axe, un sujet majeur reste l’étude du carbure de silicium, semiconducteur pour l’électronique de puissance, et plus particulièrement l’étude des fautes d’empilement qui sont la principale cause de défaillance des dispositifs. Notre expertise sur le SiC a conduit à l’émergence de l’activité « graphène » avec pour objectif de développer des films de graphène épitaxiés par la sublimation du SiC et d’étudier leurs propriétés optiques et électriques sur des dispositifs adaptés. L’ensemble de nos activités s’organisent dans le cadre de nombreuses collaborations au travers de projets nationaux et européens.

Membres

PERMANENTS NON PERMANENTS

GaAs/GaInAs/GaAlAs Hall sensors

Hall sensors, based on GaAs/GaInAs/GaAlAs pseudomorphic heterostructures, can be used for metrological and microscopic applications like electricity metering or scanning magnetometer. Electricity metering. The thermal drift cancellation of the magnetic sensitivity of Hall sensors used for electricity metering was the purpose of an industrial contract with ITRON-France and the main purpose of the E.R.T. project (Equipe de Recherche Technologique / ERT-4 Matériaux-µCapteurs-µSystèmes ; (...)

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Nitride devices

High temperature devices. At elevated temperature, the semiconductor materials like Si or “classical” III-V compounds reach their natural limit and the use of a wide band gap material like diamond, silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN) appears a most natural issue. In the case of Hall sensors the use of a 2DEG confined in a quantum well has then long been recognized as an optimum solution to achieve metrological performances and from this reason the high temperature Hall sensor based (...)

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InAs/GaSb superlattice for photodiodes

InAs/GaSb strain layer superlattices (SLS) emerge as an attractive system for infrared detection devices. Already the high performance photodiodes, in the 3-5 μm range (or MWIR : mid-wavelength infrared), and in the 8-12 μm (or LWIR : long wavelength infrared) atmospherics windows, comparable with state of the art HgCdTe technology have been demonstrated by some research groups. The material fabrication by molecular beam epitaxy is now quite mature, and simulation of the SLS band-gap has (...)

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Silicon Carbide

The topic of Silicon carbide (SiC) is due to a long term collaboration with National and international University and Industries. SiC is an attractive material for developing high power devices, owing to its superior properties. However, the commercialization of 4H-SiC high voltage diodes has been hampered by the degradation problem of their forward I-V characteristics. This effect is associated with the presence of stacking faults (SF) in the material. Faults change the stacking sequence (...)

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Graphene

Our SiC expertise yields the emergence of a graphene research activity in collaborations with several groups : LCVN Centro National de Microelectronica (Barcelona, Spain) ANR Graphsic (Institut Néel Grenoble, Laboratoire SIMA CEA Saclay, synchroton SOLEIL) Institute of Microelectronics & Microsystems (CNR Catania, Italy) IFM Linköping University (Sweden) We are studying the electrical and optical properties of few graphene layers (FLG) grown by the sublimation of SiC (...)

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