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Accueil du site > Semiconducteurs, Matériaux et Capteurs > Equipe : Matériaux, Composants, Capteurs et Biocapteurs > Thème : Epitaxie et Nanostructuration des Matériaux

Thème : Epitaxie et Nanostructuration des Matériaux

Présentation

- Le groupe "Croissance de Nitrures" élabore des couches minces, des structures et des nanoobjets à base de nitrures (GaN, AlN, InN) par épitaxie en phase vapeur (MOVPE) et épitaxie par jets moléculaires (MBE). Ses recherches portent sur les phénomènes physiques et chimiques impliqués lors de la croissance de nitrures, ainsi que sur les propriétés physiques des structures élaborées. Ces études sont réalisées à partir de caractérisations structurales (microscopies, diffraction de rayons X), électriques (Effet Hall) et optiques (réflectivité et photoluminescence en température de l’UV à L’IR).
- Le groupe « Matériaux Hybrides et Nanostructurés » travaille sur la synthèse, la mise en forme, la caractérisation et la modélisation de matériaux. Il se dégage trois thématiques : les hybrides organiques-inorganiques fonctionnels, les systèmes nanostructurés et les verres d’oxyde. Ces études s’appuient sur des techniques de caractérisation structurales (IR, NIR), texturales (Porosimétrie Hg, adsorption-désorption de gaz), mécanique (nanoindentation, Machine Instron), optiques (réfractomètrie, éllipsométrie) et thermique (ATD, ATG, Dilatométrie, viscosimètrie, mesure d’énergie de surface).

Membres

PERMANENTS NON PERMANENTS

Growth of InGaN epilayers toward solar applications

© L2C Indium Nitride (InN) material, with its bandgap lying in the near infrared at 0.65eV, is a promising material for a wide range of applications including optoelectronics, terahertz, solar cells… Therefore InN attracted much attention worldwide, and a lot of efforts were dedicated to grow and study this material. However despite these worldwide efforts, huge growth problems are still encountered, due to the lack of lattice matched substrates. A strong limitation towards InN-based device (...)

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Experimental and fundamental analysis of the early stages of nucleation and growth

© L2C All our efforts dedicated to the growth of InN and InGaN alloys have unveiled the role of substrate surface parameters, beyond the usual lattice mismatch alone. Surface tension, surfactant effects, polarity, … are indeed also involved. As a consequence, our research broaden its objectives by extending investigations to unusual growth directions, such as semipolar or non-polar surfaces, using various substrates materials. This enables us to examine very different configurations in terms of (...)

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