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Accueil du site > Semiconducteurs, Matériaux et Capteurs > Equipe : Matériaux, Composants, Capteurs et Biocapteurs > Thème : Epitaxie et Nanostructuration des Matériaux

Thème : Epitaxie et Nanostructuration des Matériaux

Présentation

- Le groupe "Structures Photovoltaïques" résulte de la reconversion thématique du groupe "Croissance de Nitrures". Nos recherches portent sur les mécanismes de croissance des structures photovoltaïques à base de CuInGaSe2 (incluant les matériaux CdS et ZnO), ainsi que sur leurs propriétés physiques. Les croissances sont réalisées par épitaxie par jets moléculaires (MBE), électrodéposition et dépôt par voie chimique (CBD). Les études physiques reposent sur les caractérisations structurales, électriques et optiques des couches minces et structures élaborées (cf. "Experimental Resources").
- Le groupe « Matériaux Hybrides et Nanostructurés » travaille sur la synthèse, la mise en forme, la caractérisation et la modélisation de matériaux. Il se dégage trois thématiques : les hybrides organiques-inorganiques fonctionnels, les systèmes nanostructurés et les verres d’oxyde. Ces études s’appuient sur des techniques de caractérisation structurales (IR, NIR), texturales (Porosimétrie Hg, adsorption-désorption de gaz), mécanique (nanoindentation, Machine Instron), optiques (réfractomètrie, éllipsométrie) et thermique (ATD, ATG, Dilatométrie, viscosimètrie, mesure d’énergie de surface).

Membres

PERMANENTS NON PERMANENTS

CIS based Photovoltaic Structures

CIS solar cell : sketch and MEB cross section image. The current photovoltaic technology is mostly based on silicon. However efficiencies are already relatively optimized and no drastic increase of the efficiency of silicon based devices is to be expected, at least from the present common device concepts. Metallurgy of silicon is also a heavy technology, with a power and carbon balance that can be questioned. As a result, there is a lot of room for new materials. Alloy semiconducting compounds (...)

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III-N Epitaxy : InN, GaN, AlN

© L2C The former GES Epitaxy group was involved in the growth of nitrides. Our work in this field has been to understand and optimise the growth mechanisms and to analyze the effects and correlation between growth parameters, as well as their impact on the optical and electronic properties of semiconductor nitrides, in view of realizing devices. From 1995, our work was dedicated to the study of the MOCVD growth of GaN, AlN and related compounds and heterostructures. As a part of a RTN network (...)

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II-VI semiconductors Epitaxy

The former GES Epitaxy group has been working on the epitaxy of wide gap semiconductors since 1987. It was involved in the MOCVD growth of wide-gap II-VI semiconductors from 1987 to 1995 and was the coordinating partner in the ESPRIT III Basic research project MTVLE n°6675, which involved THOMSON CSF, Ecole Polytechnique fédérale de Lausanne, EPICHEM Ltd. and ASM France as partners, later rejoined by the LETI. In this project, purity and defect issues were solved which enabled to grow microgun and (...)

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Experimental Resources

Experimental resources routinely available within the group : Growth facilities MBE Riber 2300 Chemical Bath Deposition Setup Electrochemical Deposition Setup MOVPE AIXTRON 200/4RF-S High Resolution X-Ray Diffraction Brucker D8 Discover Available Characterizations : - Theta/omega and Rocking Curves (symmetric and asymmetric), - Phi-scans, Texture, Mapping, - Grazing Incidence Diffraction (GID) - Reflectometry Optical Spectroscopy Photoluminescence, Reflectivity, Absorption measurements. (...)

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