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DYAKONOV Michel
Emerite Université

Michel.Dyakonov

univ-montp2.fr       

0467143252

Bureau: 60, Etg: 1, Bât: 13 - Site : Campus Triolet
Distinctions- Beller Lectureship Award
- Prix Felix Robin SFP
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| Curriculum Vitae: |
Mon nom est attaché à quelques phenomènes physique: *mechanism Dyakonov-Perel de relaxation de spin *instabilité Dyakonov-Shur de palsma à deux dimensions * Dyakonov surface waves (DSW) avec V. Perel on a prédit le Spin Hall Effect (1971) |
Activités de Recherche: |
1) Physique de spin dans les semiconducteurs
2) Génération et détection des ondes Terahertz en utilisant le plasma bi-dimensionnel
3) Effets de mémoire dans le magnéto-transport
4) Critique des idées de l'ordinateur quantique |
Projets de Recherche: |
Participation à ANR JST WITH
Participation au projét internationale ITN-INDEX |
Programme de Recherche/CV: | |
Domaines de Recherche: - Physique/Matière Condensée/Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique
- Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
- Physique/Physique Quantique
- Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs
- Physique/Physique/Physique : vulgarisation
- Physique/Matière Condensée/Autre
- Physique/Physique/Physique Générale
- Sciences de l'ingénieur/Electronique
- Physique/Matière Condensée/Mécanique statistique
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Dernieres productions scientifiques :

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Theory of helicity-sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors 
Auteur(s): Romanov K., DYAKONOV M.
(Document sans référence bibliographique) 2013-03-01
Ref HAL: hal-00805720_v1
Ref Arxiv: 1303.0144
Résumé: Within the two antenna model, we develop a theory of the recently observed helicity-sensitive detection of terahertz radiation by FETs. The effect arises because of the mixing of the ac signals produced in the channel by the two antennas. We calculate the helicity-dependent part of the photoresponse and its dependence on the antenna impedance, gate length, and gate voltage.
Commentaires: 4 pages, 3 figures App. Phys. Lett. (2013), à paraitre
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Analyseur de polarisation TéraHertz à base de transistors à effet de champs 
Auteur(s): KNAP W., TEPPE F., DIAKONOVA N., DYAKONOV M., Klimenko O., Ganichev S., Drexler C.
Brevet: #EP2012074375, (2012)
Ref HAL: hal-00811809_v1
Résumé: L'invention concerne un dispositif (1) de mesure de l'état de polarisation d'une onde incidente de fréquence de 10 GHz à 30 THz , comportant un transistor à effet de champ (2), une antenne (3) de réception. Suivant l'invention, les parties (31, 33) d'antenne détectent une composante de polarisation de l'onde, colinéaire à une direction (X) provoquant dans le transistor (2) une tension alternative (Us) de détection, les parties (32, 33) détectent une composante de polarisation de l'onde, colinéaire à une direction (Y) provoquant l'apparition dans le transistor (2) d'une tension alternative (Ud) de détection, le transistor (2) étant agencé pour générer, comme signal électrique (ΔU) de détection entre la borne (21) de source et la borne (22) de drain, une tension continue (ΔU) de détection dont une partie est déterminée par l'état de polarisation elliptique de l'onde par interférence dans le transistor (2) entre les tensions alternatives (Us, Ud).
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One-dimensional model for the Fractional Quantum Hall Effect 
Auteur(s): DYAKONOV M.
Conférence invité: 20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (Chamonix, FR, 2012-07-22)
Ref HAL: hal-00805791_v1
Résumé: One-dimensional model for the Fractional Quantum Hall Effect, The 20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Chamonix, (juillet 2012)
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Fundamentals of spin physics in semiconductors, 
Auteur(s): DYAKONOV M.
Conférence invité: International School on Spin-Optronics (Saint Pétersbourg, RU, 2012-07-10)
Ref HAL: hal-00805789_v1
Résumé: International School on Spin-Optronics, Saint Pétersbourg (juillet 2012)
Commentaires: Fundamentals of spin physics in semiconductors, International School on Spin-Optronics, Saint Pétersbourg (juillet 2012)
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State of the art and prospects for quantum computing 
Auteur(s): DYAKONOV M.
Conférence invité: Advanced Research Workshop: Future Trends in Microelectronics (, FR, 2012-06-25)
Ref HAL: hal-00805788_v1
Résumé: State of the art and prospects for quantum computing. Advanced Research Workshop: Future Trends in Microelectronics, Corsica (juin 2012)
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