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(122) Production(s) de LEFEBVRE P.

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+ Three-dimensional magneto-photoluminescence as a probe of the electronic properties of crystal phase quantum disks in GaAs nanowires. doi link
Auteur(s): Corfdir Pierre(Corresp.), Van Hattem Barbara, Uccelli Emanuele, Conesa-Boj Sonia, Lefebvre P., Fontcuberta I Morral Anna, Phillips Richard
(Article) Publié: Nano Letters, vol. 13 p.5303 (2013)

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+ Spatio-Temporal Dynamical Properties of Naturally Indirect Excitons in Polar Nitride Quantum Wells. hal link
Auteur(s): Lefebvre P.(Corresp.)
Conférence invité: European Materials Research Society (E-MRS) Srping Meeting. Symposium L: Group III Nitrides. (Strasbourg, FR, 2013-05-27)

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+ The mysterious 3.45 eV doublet in emission spectra of GaN nanowires. An open case in point.
Auteur(s): Lefebvre P.(Corresp.)
(Séminaires) Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne - Institut de Physique de la Matière Condensée (Lausanne, CH), 2013-03-19

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+ Optical properties and microstructure of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: Effect of thermal annealing doi link
Auteur(s): Lopez-Ponce Manuel, Hierro A.(Corresp.), Ulloa J.-M., Lefebvre P., Munoz E., Agouram S., Muñoz-Sanjosé V., Yamamoto K., Nakamura A., Temmyo J.
(Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 102 p.143103 (2013)

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+ Time-resolved photoluminescence of high-aluminum-content (Al,Ga)N quantum wells and epilayers emitting in the 215-255 nm range. hal link
Auteur(s): Lefebvre P., Brimont C., Valvin P., Miyake H., Hiramatsu K., Gil B.
Conference: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2012). (Sapporo, JP, 2012-10-14)

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+ Role of the dielectric mismatch on the properties of donors in semiconductornanostructures bounded by air. doi link
Auteur(s): Corfdir Pierre(Corresp.), Lefebvre P.
(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 112 p.106104 (2012)

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. Cavités photoniques à boîtes quantiques GaN pour l’Ultra-Violet
Auteur(s): Brimont C., Guillet T., Mexis M., Bretagnon T., Lefebvre P., Gil B.
Conference: 13èmes Journées de la Matière Condensée (Montpellier, FR, 2012-08-29)

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