Domaines de Recherche: - Physique/Matière Condensée/Autre
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Productions scientifiques :
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Emission polarisée d'une boîte quantique unique GaN/AlN : expérience et théorie 
Auteur(s): Guillet T., Bardoux Richard, Gil B., Lefebvre P., Bretagnon T., Rousset S., Semond Fabrice
Conference: 11ème Journées de la Matière Condensée (Strasbourg, FR, 2008-08-25)
Ref HAL: hal-00389559_v1
Résumé: Les boîtes quantiques GaN présentent des propriétés de confinement très attrayantes, jusqu'à 300K. De nombreux développements récents ont montré qu'elles peuvent se comparer favorablement aux boîtes quantiques antérieures et mieux maîtrisées, InAs et CdTe en particulier. Mais l'étude de la structure fine des complexes excitoniques dans les boîtes GaN n'a jusqu'à présent pas été abordée. Nous présentons les propriétés de polarisation, à basse température, de boîtes isolées GaN/AlN. La photoluminescence est fortement polarisée linéairement, jusqu'à 90%, suivant des directions non corrélées aux axes cristallins. Nous n'observons pas de dédoublement du doublet radiatif. Nous interprétons ces résultats dans le cadre d'un modèle matriciel, incluant toutes les symétries pertinentes, qui permet une comparaison entre les systèmes GaN, InAs et CdTe. Nous montrons que la forte polarisation est liée à la proximité des bandes de valence A et B de GaN, et nous proposons que l'absence de doublet soit la signature d'un fort splitting de structure fine, ou bien de l'émission d'excitons chargés.
Commentaires: oral
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Polarized emission of GaN/AlN quantum dots : single dot spectroscopy and symmetry-based theory
Auteur(s): Bardoux Richard, Guillet T. , Gil B., Lefebvre P., Bretagnon T., Taliercio T., Rousset S., Semond F.
(Article) Publié:
Physical Review B, vol. 77 p.235315 (2008)
Ref HAL: hal-00261181_v3
Ref Arxiv: 0803.0899
DOI: 10.1103/PhysRevB.77.235315
Résumé: We report micro-photoluminescence studies of single GaN/AlN quantum dots grown along the (0001) crystal axis by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. The emission lines exhibit a linear polarization along the growth plane, but with varying magnitudes of the polarization degree and with principal polarization axes that do not necessarily correspond to crystallographic directions. Moreover, we could not observe any splitting of polarized emission lines, at least within the spectral resolution of our setup (1 meV). We propose a model based on the joint effects of electron-hole exchange interaction and in-plane anisotropy of strain and/or quantum dot shape, in order to explain the quantitative differences between our observations and those previously reported on, e.g. CdTe- or InAs-based quantum dots.
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Sebastien.Rousset
univ-montp2.fr 
0467143757
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