Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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Composants et capteurs
(22) Production(s) de l'année 2017

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+ Low p-doped epitaxial graphene : Ambipolar quantum Hall effect and huge non-local resistance

Auteur(s): Nanot S., Nachawaty A.(Corresp.), Desrat W., Jouault B., Yang M., Escoffier W., Cresti A.

(Affiches/Poster) GDR PHYSIQUE QUANTIQUE MESOSCOPIQUE - SESSION PLENIERE 2017 (Aussois, FR), 2017-12-04


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+ Quantum Dot based UV Light Emitting Diodes hal link

Auteur(s): Brault Julien, Matta S., Al Khalfioui Mohamed, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Chenot S., Korytov M, Peyre H., Konczewicz L., Contreras S., Chaix C., Massies Jean, Gil B.

(Affiches/Poster) 12th international conference on nitride semiconductors (STRASBOURG, FR), 2017-07-24


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+ High Temperature Electrical Transport Study of MBE grown Mg-doped AlGaN

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Juillaguet S., Peyre H., Al khalfioui Mohamed, Matta S., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Brault Julien

(Affiches/Poster) 12th international conference on nitride semiconductors (STRASBOURG, FR), 2017-07-24


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+ High temperature electrical transport study of n-type Si-doped AlN

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Peyre H., Juillaguet S., Weyher J.l., Dziecielewski I, Al khalfioui Mohamed, Matta S., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Brault Julien, Gil B.

(Affiches/Poster) International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (FUKUOKA, JP), 2017-11-14


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+ High Temperature Annealing of MBE-grown Mg-doped GaN doi link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Peyre H., Juillaguet S., Al Khalfioui M., Matta S., Leroux M., Damilano B., Brault J.

Conference: 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (Peking, CN, 2017)
Actes de conférence: Journal of Physics Conference Series, vol. 864 p.UNSP 012018 (2017)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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+ Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers doi link

Auteur(s): Jayasakthi M., Juillaguet S., Peyre H., Konczewicz L., Moret M., Briot O., Baskar K., Contreras S.

Conference: 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (PEKIN, CN, 2017)
Actes de conférence: Journal of Physics Conference Series, vol. 864 p.UNSP 012021 (2017)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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+ Comparative study of p-type 4H-SiC grown on n-type and semi insulating 4H-SiC substrates hal link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Arvinte Roxana, Peyre H., Chassagne Thierry, Zielinski Marcin, Juillaguet S.(Corresp.)

Conference: 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Thessaloniki, GR, 2016-09)
Actes de conférence: Material Sciences Forum, vol. 897 p.275 (2017)


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