Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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(408) Production(s) de l'année 2015

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+ Photoluminescence behavior of amber light emitting GaInN-GaN heterostructures doi link

Auteur(s): Ngo T. H., Rosales D., Gil B.(Corresp.), Valvin P., Damilano Benjamin, Lekhal Kaddour, de Mierry Philippe

Conference: GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X (san francisco, US, 2015)


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+ Excitation-dependent carrier dynamics in Al-rich AlGaN layers and multiple quantum wells doi link

Auteur(s): Šcajev Patrik, Miasojedovas Saulius, Jarasiunas Kestutis, Hiramatsu Kazumaza, Miyake Hideto, Gil B.(Corresp.)

(Article) Publié: Physica Status Solidi A, vol. 252 p.1043-1049 (2015)
Texte intégral en Openaccess : istex


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+ Optical properties and structural investigations of (11-22)-oriented GaN/Al0.5Ga0.5N quantum wells grown by molecular beam epitaxy doi link

Auteur(s): Rosales D., Gil B.(Corresp.), Bretagnon T., Brault Julien, Vennegues Philippe, Nemoz Maud, de Mierry Philippe, Damilano Benjamin, Massies Jean, Bigenwald Pierre

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 118 p.024303 (2015)


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+ Strain-compensated (Ga,In)N/(Al,Ga)N/GaN multiple quantum wells for improved yellow/amber light emission doi link

Auteur(s): Lekhal K., Damilano B., Ngo H. T., Rosales D., de Mierry P., Hussain S., Vennegues P., Gil B.(Corresp.)

(Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 106 p.142101 (2015)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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+ Determination of carrier diffusion length in GaN doi link

Auteur(s): Hafiz Shopan, Zhang Fan, Monavarian Morteza, Avrutin Vitaliy, Morkoc Hadis, Oezguer Uemit, Metzner Sebastian, Bertram Frank, Christen Juergen, Gil B.(Corresp.)

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 117 p.013106 (2015)


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+ Changes in the starch-protein interface depending on common wheat grain hardness revealed using atomic force microscopy doi link

Auteur(s): Chichti Emna, George M., Delenne Jean-Yves, Lullien-Pellerin Valerie

(Article) Publié: Plant Science, vol. 239 p.1-8 (2015)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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+ Terahertz detection of magnetic field-driven topological phase transition in HgTe-based transistors doi link

Auteur(s): Kadykov A., Teppe F., Consejo C., Viti L., Vitiello M. S., Krishtopenko S., Ruffenach S., Morozov S. V., Marcinkiewicz M., Desrat W., Diakonova N., Knap W., Gavrilenko V. I., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A.

(Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 107 p.152101 (2015)
Texte intégral en Openaccess : arxiv


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