Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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Physique Appliquée

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+ Low frequency noise in reverse biased P-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes doi link

Auteur(s): Diakonova N., Karandashev Sergey, Levinshtein Michael, Matveev Boris Anatolievich, Remennyi M.

(Article) Publié: Semiconductor Science And Technology, vol. p. (2018)

 
+ Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes doi link

Auteur(s): Diakonova N., Karandashev S, Levinshtein M, Matveev M, Remennyi M

(Article) Publié: Semiconductor Science And Technology, vol. 33 p. (2018)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

 
+ THz detectors based on Si-CMOS technology field effect transistors–advantages, limitations and perspectives for THz imaging and spectroscopy doi link

Auteur(s): Marczewski Jacek, Coquillat D., Knap W., Kolacinski C., Kopyt P., Kucharski K., Lusakowski J., Obrebski D., Tomaszewski D., Yavorskiy D., Zagrajek P., Ryniec R., Palka N.

(Article) Publié: Opto-Electronics Review, vol. 26 p.261 (2018)

 


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