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Thème : Epitaxie et Nanostructuration des Matériaux
Présentation
Le groupe "Structures Photovoltaïques" résulte de la reconversion thématique du groupe "Croissance de Nitrures". Nos recherches portent sur les mécanismes de croissance des structures photovoltaïques à base de CuInGaSe2 (incluant les matériaux CdS et ZnO), ainsi que sur leurs propriétés physiques. Les croissances sont réalisées par épitaxie par jets moléculaires (MBE), électrodéposition et dépôt par voie chimique (CBD). Les études physiques reposent sur les caractérisations structurales, électriques et optiques des couches minces et structures élaborées (cf. "Experimental Resources").
Le groupe « Matériaux Hybrides et Nanostructurés » travaille sur la synthèse, la mise en forme, la caractérisation et la modélisation de matériaux. Il se dégage trois thématiques : les hybrides organiques-inorganiques fonctionnels, les systèmes nanostructurés et les verres d’oxyde. Ces études s’appuient sur des techniques de caractérisation structurales (IR, NIR), texturales (Porosimétrie Hg, adsorption-désorption de gaz), mécanique (nanoindentation, Machine Instron), optiques (réfractomètrie, éllipsométrie) et thermique (ATD, ATG, Dilatométrie, viscosimètrie, mesure d’énergie de surface).
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Study and optimization of Al-doped ZnO thin films deposited on PEN substrates by RF-magnetron sputtering from nanopowders targets  Auteur(s): Hamrit S., Djessas K., Brihi N., Briot O., Moret M., Ben Ayadi Z. (Article) Publié: Journal Of Materials Science-Materials In Electronics, vol. 27 p.1730-1737 (2016) |
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III-N Epitaxy : InN, GaN, AlN
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The former GES Epitaxy group has been working on the epitaxy of wide gap semiconductors since 1987. It was involved in the MOCVD growth of wide-gap II-VI semiconductors from 1987 to 1995 and was (...)
Experimental Resources
Experimental resources routinely available within the group :
Growth facilities
MBE Riber 2300
Chemical Bath
Deposition Setup
Electrochemical Deposition Setup
MOVPE AIXTRON 200/4RF-S (...)
