Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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Photo de JOUAULT Benoit
JOUAULT Benoit      
Organisme : CNRS
Directeur de Recherche
(HDR)
Directeur(trice) de thèse de : NACHAWATY A.,
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
Benoit.Jouault_AT_umontpellier.fr
0467144742 (ou 3225)
Bureau: 35.0, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Administration Locale:
  • Membre du conseil du laboratoire

Participation(s) à Projets:

Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
Dernieres productions scientifiques :
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+ Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point

Auteur(s): Nachawaty A.(Corresp.), Yang M., Nanot S., Cresti A., Escoffier Walter, Jouault B.(Corresp.)

(Affiches/Poster) ICPS - International CONference on the Physics of Semiconductors (Montpellier, FR), 2018-07-29

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+ Beauty of quantum transport in Graphene hal link

Auteur(s): Jouault B.(Corresp.), Schopfer F., Poirier W.

Chapître d'ouvrage: Epitaxial Graphene On Silicon Carbide Modeling Characterization And Applications, vol. p.193 (2018)

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+ Robustness of the quantum Hall effect of graphene on Silicon Carbide hal link

Auteur(s): Nachawaty A., Yang Ming, Nanot S., Cresti Alessandro, Escoffier Walter, Jouault B.

Conference: 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3) (La Valletta, MT, 2018-05-29)

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+ Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point hal link

Auteur(s): Nachawaty A., Nanot S., Cresti Alessandro, Escoffier Walter, Jouault B.

Conference: Annual meeting of the GDRi Graphene & Co (Sète, FR, 2018-10-15)

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+ Structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC (0001) at low argon pressure

Auteur(s): Wang T., Landois P., Bayle M., Huntzinger J.-R., De cecco Alessandro, Courtois Hervé, Winkelmann Clemens, Paillet M., Jouault B., Contreras S.

(Affiches/Poster) International Conference on the physics semiconductors (Montpellier, FR), 2018-07-30

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