Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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PEYRE Herve      
Fonction : MdC
Organisme : Université Montpellier
Maître de Conférences
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
Herve.Peyre_AT_umontpellier.fr
0467143790
Bureau: 13.1, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Energie électrique
  • Chimie/Matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Electronique
Dernieres productions scientifiques :
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+ Electrical transport properties of p-type 4H-SiC doi link

Auteur(s): Contreras S.(Corresp.), Konczewicz L., Arvinte Roxana, Peyre H., Chassagne Thierry, Zielinski Marcin, Juillaguet S.

(Article) Publié: -Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science, vol. 214 p.1600679 (2017)

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+ Effect of germanium doping on electrical properties of n-type 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition doi link

Auteur(s): Sledziewski T., Vivona M., Alassaad K., Kwasnicki P., Arvinte R., Beljakowa S., Weber H. b., Giannazzo F., Peyre H., Souliere V., Chassagne T., Zielinski M., Juillaguet S., Ferro G., Roccaforte F., Krieger M.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 120 p.205701 (2016)

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+ High temperature electrical transport study of Si-doped AlN doi link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Ben messaoud Jaweb, Peyre H., Al khalfioui Mohamed, Matta Samuel, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Brault Julien

(Article) Publié: Superlattices And Microstructures, vol. 98 p.253-258 (2016)

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+ Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD doi link

Auteur(s): Jayasakthi M., Juillaguet S., Peyre H., Konczewicz L., Baskar K., Contreras S.

(Article) Publié: Superlattices And Microstructures, vol. 98 p.515-521 (2016)

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+ Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport doi link

Auteur(s): Thierry-Jebali Nicolas, Vo-Ha Arthur, Carole Davy, Lazar Mihai, Ferro Gabriel, Peyre H., Contreras S., Brosselard Pierre

(Article) Publié: Materials Science Forum, vol. 806 p.57 - 60 (2015)

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