Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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PEYRE Herve      
Fonction : MdC
Organisme : Université Montpellier
Maître de Conférences
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
 - Composants et capteurs
Herve.Peyre_AT_umontpellier.fr
0467143790
Bureau: 13.1, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Administration Locale:
  • Responsable de formations
  • Responsable de diplôme (M2)
Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Electronique
  • Sciences de l'ingénieur/Energie électrique
  • Chimie/Matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Matériaux
Dernieres productions scientifiques :
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+ Optimization of the properties of the molybdenum back contact deposited by radiofrequency sputtering for Cu( In 1 − x Ga x ) Se 2 solar cells doi link

Auteur(s): Briot O., Moret M., Barbier Camille, Tiberj A., Peyre H., Sagna A., Contreras S.

(Article) Publié: Solar Energy Materials And Solar Cells, vol. 174 p.418 - 422 (2018)

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+ Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques hal link

Auteur(s): Tsagaraki K., Nafouti M, Peyre H., Vamvoukakis K, Makris N, Kayambaki M, Stavrinidis A, Konstantinidis G, Panagopoulou M, Alquier D., Zekentes Konstantinos

Conference: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) (Washington, DC, US, 2017-09-17)

Texte intégral en Openaccess : fichier pdf

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+ Electrical transport properties of p-type 4H-SiC doi link

Auteur(s): Contreras S.(Corresp.), Konczewicz L., Arvinte Roxana, Peyre H., Chassagne Thierry, Zielinski Marcin, Juillaguet S.

(Article) Publié: Physica Status Solidi A, vol. 214 p.1600679 (2017)

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+ Effect of germanium doping on electrical properties of n-type 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition doi link

Auteur(s): Sledziewski T., Vivona M., Alassaad K., Kwasnicki P., Arvinte R., Beljakowa S., Weber H. b., Giannazzo F., Peyre H., Souliere V., Chassagne T., Zielinski M., Juillaguet S., Ferro G., Roccaforte F., Krieger M.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 120 p.205701 (2016)

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+ High temperature electrical transport study of Si-doped AlN doi link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Ben messaoud Jaweb, Peyre H., Al khalfioui Mohamed, Matta Samuel, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Brault Julien

(Article) Publié: Superlattices And Microstructures, vol. 98 p.253-258 (2016)

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