Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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PEYRE Herve      
Fonction : MdC
Organisme : Université Montpellier
Maître de Conférences
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
 - Composants et capteurs
Herve.Peyre_AT_umontpellier.fr
0467143790
Bureau: 13.1, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Administration Locale:
  • Responsable de formations
  • Responsable de diplôme (M2)
Domaines de Recherche:
  • Sciences de l'ingénieur/Matériaux
  • Chimie/Matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Microélectronique
  • Physique/Physique/Chimie-Physique
  • Sciences de l'ingénieur
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
  • Physique
  • Physique/Matière Condensée
  • Sciences de l'ingénieur/Electronique
  • Sciences de l'ingénieur/Energie électrique
Dernieres productions scientifiques :
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+ 4H-SIC p-type doping determination from secondary electrons imaging hal link

Auteur(s): Kayambaki M, Makris N., Tsagarakis K., Peyre H., Stavrinidis A, Zekentes K.

Conference: 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) (Birmingham, GB, 2018-09-02)

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+ Cross-Section Doping Topography of 4H-SiC VJFETs by Various Techniques doi link

Auteur(s): Tsagaraki Katerina, Nafouti Maher, Peyre H., Vamvoukakis Konstantinos, Makris Nikolaos, Kayambaki Maria, Stavrinidis Antonis, Konstantinidis George, Panagopoulou Maria, Alquier Daniel, Zekentes Konstantinos

(Article) Publié: Materials Science Forum, vol. 924 p.653-656 (2018)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

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+ (Al,Ga)N quantum dots for deep UV LEDs

Auteur(s): Brault Julien, Matta Samuel, Al khalfioui Mohamed, Korytov M, Ngo T. H., Vuong P., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Chenot S., Vennegues P, Duboz J. y., Massies Jean, Chaix C., Peyre H., Juillaguet S., Contreras S., Gil B.

Conference: International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP, 2018-11-11)

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+ Effect of Temperature on Electrical Transport Properties of MBE grown Mg-doped GaN and AlGaN hal link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Juillaguet S., Peyre H., Al khalfioui Mohamed, Matta Samuel, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Gil B., Brault Julien

(Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11

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+ Photoluminescence study of Mg-doped GaN and AlxGa1-xN (x<0.4) grown by molecular epitaxy hal link

Auteur(s): Brault Julien, Leroux Mathieu, Matta Samuel, Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Peyre H., Contreras S., Juillaguet S., Gil B.(Corresp.)

(Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11

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