Ref HAL: hal-03037689_v1
DOI: 10.1109/IRMMW-THz.2018.8510039
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Résumé:

We report on the temperature-dependent magneto absorption and magnetotransport spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells above the critical well thickness d(c). Our results, obtained in magnetic fields up to 16 T and temperature range from 1.7 to 150 K, clearly indicate a change in the band-gap energy with temperature. A topological phase transition between quantum spin Hall and trivial insulator states, revealing appearance of single-valley Dirac fermions at T = 27 and 90 K for 6.5 and 8 nm QWs respectively, was clearly observed in our magnetospectroscopy measurements.

Commentaires: 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Nagoya, JAPAN, SEP 09-14, 2018

Ref HAL: hal-03037687_v1
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Résumé:

A few years ago, we demonstrated that graphene can markedly surpass GaAs/AlGaAs semiconductor heterostructures for the implementation of the quantum Hall resistance standard in relaxed experimental conditions, while preserving a state-of-the-art accuracy [1]. This paper describes supplementary quantum transport experiments performed on a significant number of graphene based quantum Hall devices obtained from graphene grown by CVD on SiC, like the one used for the above-mentioned demonstration, and with similar process and preparation. The objectives were to investigate the sample-to-sample reproducibility of the electronic properties and device performance, the structural key control parameter and the underpinning physics.

Commentaires: Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM), Paris, FRANCE, JUL 08-13, 2018

Ref HAL: hal-02785661_v1
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Ref HAL: tel-02157943_v1
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Résumé:

Des mesures de magnétorésistances locales et non locales dans des monocouches de graphène obtenues par sublimation sur la face silicium du carbure de silicium (SiC) sont présentées dans cette thèse. L’objectif est d’étudier les phénomènes physiques qui apparaissent proche de point de neutralité de charge (dopage faible en trous) dans ces monocouches. Or, celles-ci sont généralement fortement dopées en électrons à cause de l’interaction avec la couche d’interface et le substrat. Des dispositifs en forme de barre de Hall encapsulés par une résine sont utilisés. Le contrôle du niveau de Fermi dans ces dispositifs est réalisé en utilisant la méthode de décharge corona. L’amplitude du désordre est évaluée dans ces monocouches de graphène en : (i) ajustant la courbe de résistivité en fonction du coefficient de Hall obtenue à température ambiante ; (ii) ajustant les courbes de dépendance en température de la densité de Hall pour les échantillons proche de point de neutralité de charge. Toutes ces analyses donnent une amplitude du désordre de l’ordre de (20 ±10) meV. Les échantillons préparés avec un faible dopage en trous sont ensuite étudiés en régime d'effet Hall quantique. Les mesures de magnétorésistances montrent que la résistance de Hall présente un comportement ambipolaire en fonction du champ magnétique. Ce comportement coïncide avec l’apparition d’un maximum local dans la résistance longitudinale. Ces résultats sont expliqués via un modèle de transfert de charge entre régions de différents dopages dans le graphène. Néanmoins, l’origine microscopique de ces régions est mal connue. Finalement, des mesures non locales sont effectuées sur ces mêmes échantillons et montrent l’apparition des résistances non locales importantes dont la valeur peut, dans certains cas, dépasser les résistances longitudinales correspondantes. L'analyse de ces résultats montre que la contribution du courant de spin et des effets thermiques dans l’apparition de ces tensions non locales est négligeable. Cependant, les données expérimentales sont raisonnablement reproduites par un modèle de conduction basé sur des états de bord rétrodiffusés par le "bulk" isolant.

Ref HAL: hal-02127489_v1
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Résumé:

Dispositif de résonance magnétique nucléaire ou d'imagerie par résonnance magnétique, comportant un système de bobines (1) comportant N paires de bobines (10, 20), où N est un entier supérieur à 1, ces bobines (10, 20) s'étendant au moins partiellement selon une surface enveloppe (E) du système de bobines à symétrie de révolution, chaque bobine (10, 20) comportant au moins deux portions opposées (11, 21) définissant un plan associé (P1, P2) parallèle à un premier plan médian (M) de la surface enveloppe (E) contenant un axe de symétrie (Y) de la surface enveloppe (E), les portions opposées (11, 21) des bobines (10, 20) d'une même paire étant disposées de manière symétrique par rapport au premier plan médian (M), les portions opposées (11, 21) d'une bobine (10, 20) étant disposées de manière symétrique par rapport à un deuxième plan médian (N) contenant ledit axe de symétrie (Y) et perpendiculaire au premier plan médian (M).

Ref HAL: hal-02066375_v1
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Commentaires: session poster: MO.P.FP14

Ref HAL: hal-02048370_v1
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