Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Peyre H., Juillaguet S., Al Khalfioui M., Matta S., Leroux M., Damilano B., Brault J.
Conference: 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (Peking, CN, 2017)
Actes de conférence: Journal of Physics Conference Series, vol. 864 p.UNSP 012018 (2017)
Texte intégral en Openaccess : 
Ref HAL: hal-01935176_v1
DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012018
WoS: WOS:000437783500018
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2 Citations
Résumé:
High Temperature Annealing of MBE-grown Mg-doped GaN