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Thème : Composants et Capteurs
Présentation
Notre expertise en mesures optique et électrique est dédiée à l’étude des semiconducteurs et des capteurs à base de nanostructures. Nos deux axes de recherche sont la physique et la nanophysique des composés III-V d’une part et l’ axe « matériau » qui concerne les semiconducteurs à large bande interdite et le graphène d’autre part. Le premier axe met à profit les connaissances d’une recherche fondamentale dans des actions de physique appliquée (capteurs GaAs/GaInAs/GaAlAs à effet Hall, composants à base de nitrure, photodiodes à base de super réseaux InAs/GaSb). Dans le deuxième axe, un sujet majeur reste l’étude du carbure de silicium, semiconducteur pour l’électronique de puissance, et plus particulièrement l’étude des fautes d’empilement qui sont la principale cause de défaillance des dispositifs. Notre expertise sur le SiC a conduit à l’émergence de l’activité « graphène » avec pour objectif de développer des films de graphène épitaxiés par la sublimation du SiC et d’étudier leurs propriétés optiques et électriques sur des dispositifs adaptés.
L’ensemble de nos activités s’organisent dans le cadre de nombreuses collaborations au travers de projets nationaux et européens.
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Synthesis and characterization of aluminum doped zinc oxide nanoparticles via a novel and low cost aqueous chemical process  Auteur(s): Moussa Tankari A., Medjnoun K., Nouiri M., Briot O., Juillaguet S., Peyre H., Belaqziz M., Djessas K.
(Article) Publié:
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Texte intégral en Openaccess : |
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Tuning of the magnetotransport properties of a spin-polarized 2D electron system using visible light Auteur(s): D’antuono Maria, Chen Yu, Caruso Roberta, Jouault B., Salluzzo Marco, Stornaiuolo Daniela (Article) Publié: Scientific Reports, vol. 13 p.10050 (2023) |
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Low‐Temperature Electrical Transport Properties of Molecular Beam Epitaxy‐Grown Mg‐Doped GaN Subjected to a High‐Temperature Annealing Process Auteur(s): Konczewicz L., Juillaguet S., Zajac Marcin, Litwin-Staszewska Elzbieta, Al Khalfioui Mohamed, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Brault Julien, Contreras S. (Article) Publié: Physica Status Solidi A, vol. 220 p.2200769 (2023) |
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