Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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PAILLET Matthieu      
Organisme : CNRS
Chargé de Recherche
matthieu.paillet_AT_umontpellier.fr
0467143539 (ou 3592)
Bureau: 1/11/2/04, Etg: 2, Bât: 11 - Site : Campus Triolet

Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
  • Physique/Matière Condensée/Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique
Dernieres productions scientifiques :
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+ Photoluminescence from an individual double-walled carbon nanotube doi link

Auteur(s): Levshov D., Parret R., Tran H.-N., Michel T., cao thi thanh, Nguyen Van Chuc, Arenal Raul, Popov Valentin n., Rochal Sergei b., Sauvajol J.-L., Zahab A. A., Paillet M.(Corresp.)

(Article) Publié: Physical Review B, vol. 96 p.195410 (2017)

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+ CVD Growth of Graphene on SiC (0001): Influence of Substrate Offcut doi link

Auteur(s): Dagher Roy, Jouault B., Paillet M., Bayle M., Nguyen Luan, Portail Marc, Zielinski Marcin, Chassagne Thierry, Cordier Yvon, Michon Adrien

(Article) Publié: Materials Science Forum, vol. 897 p.731 - 734 (2017)

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+ High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates doi link

Auteur(s): Dagher R., Matta S., Parret R., Paillet M., Jouault B., Nguyen L., Portail M., Zielinski M., Chassagne T., Tanaka S., Brault J., Cordier Y., Michon A.

(Article) Publié: -Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science, vol. 214 p.1600436 (2017)

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+ Quantum interference effects on the intensity of the G modes in double-walled carbon nanotubes doi link

Auteur(s): Tran H.-N., Blancon J. -c., Arenal R., Parret R., Zahab A. A., Ayari A., Vallee F., Del Fatti N., Sauvajol J.-L., Paillet M.(Corresp.)

(Article) Publié: Physical Review B, vol. 95 p.205411 (2017)

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+ Growth of low doped monolayer graphene on SiC(0001) viasublimation at low argon pressure doi link

Auteur(s): Landois P.(Corresp.), Wang T., Nachawaty A., Bayle M., Decams J.M., Desrat W., Zahab A. A., Jouault B., Paillet M., Contreras S.

(Article) Publié: Physical Chemistry Chemical Physics, vol. p.10.1039/c7cp01012e (2017)

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