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(140) Production(s) de JOUAULT B.
Electrical control of excitons in GaN/(Al,Ga)N quantum wells Auteur(s): Aristegui R., Chiaruttini F., Jouault B., Lefebvre P., Brimont C., Guillet T., Vladimirova M., Chenot S., Cordier Yvon, Damilano Benjamin (Document sans référence bibliographique) Texte intégral en Openaccess : |
HgTe quantum wells for QHE metrology under soft cryomagnetic conditions: permanent magnets and liquid ${^4He}$ temperatures Auteur(s): Yahniuk I., Kazakov A., Jouault B., Krishtopenko S., Kret S., Grabecki G., Cywiński G., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Przybytek J., Gavrilenko V. I., Teppe F., Dietl T., Knap W. (Document sans référence bibliographique) Texte intégral en Openaccess : |
Orbital selective switching of ferromagnetism in an oxide quasi two-dimensional electron gas Auteur(s): Di Capua R., Verma M., Radovic M., Strocov V., Piamonteze C., Guedes E., Plumb N., Chen Yu, D’antuono M., de Luca G., Di Gennaro E., Stornaiuolo D., Preziosi D., Jouault B., Miletto Granozio F., Sambri A., Pentcheva R., Ghiringhelli G., Salluzzo M. (Article) Publié: Npj Quantum Materials, vol. 7 p.41 (2022) Texte intégral en Openaccess : |
Sublimation de carbure de silicium : de la couche tampon à la monocouche de graphène Auteur(s): Landois P., Huntzinger J.-R., Wang T., Bayle M., Jouault B., Zahab A. A., Paillet M., Contreras S.
Conférence invité: Congrès annuel SFEC (Samatan, FR, 2020-04-23) |
Epitaxial graphene growth and characterisation of buffer layer on SiC(0001) Auteur(s): Wang T., Huntzinger J.-R., Decams Jean-Manuel, Bayle M., Zahab A. A., Jouault B., Contreras S., Paillet M., Landois P.
Conference: 2D materials on substrates: growth & properties (Villard de Lans, FR, 2020-01-19) |
Unconventional reentrant quantum Hall effect in a HgTe/CdHgTe double quantum well Auteur(s): Yakunin M., Krishtopenko S., Podgornykh S., Popov M., Neverov V., Jouault B., Desrat W., Teppe F., Dvoretsky S., Mikhailov N. (Article) Publié: Physical Review B, vol. 102 p. (2020) Texte intégral en Openaccess : |
Quantum Hall states in inverted HgTe quantum wells probed by transconductance fluctuations Auteur(s): Mantion S., Avogadri C., Krishtopenko S., Gebert S., Ruffenach S., Consejo C., Morozov S., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Knap W., Nanot S., Teppe F., Jouault B. (Article) Publié: Physical Review B, vol. 102 p.075302 (2020) Texte intégral en Openaccess : |