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(146) Production(s) de CASSABOIS G.
Exciton-phonon interaction in the strong-coupling regime in hexagonal boron nitride Auteur(s): Vuong P., Cassabois G., Valvin P., Liu Song, Edgar Jim, Gil B. (Article) Publié: Physical Review B, vol. 95 p.201202(R) (2017) Texte intégral en Openaccess : |
Deep ultraviolet emission in hexagonal boron nitride grown by high-temperature molecular beam epitaxy Auteur(s): Vuong P., Cassabois G., Valvin P., Rousseau E., Summerfield Alex, Mellor Chris, Cho Yong Jin, Cheng Ting, Albar Juan Diez, Eaves L., Foxon Charles Thomas, Beton Peter, Novikov Sergei, Gil B. (Article) Publié: 2D Materials, vol. 4 p.021023 (2017) Texte intégral en Openaccess : |
Direct observation of the band structure in bulk hexagonal boron nitride Auteur(s): Henck Hugo, Pierucci Debora, Fugallo Giorgia, Avila Jose, Cassabois G., Dappe Yannick J., Silly Mathieu G., Chen Chaoyu, Gil B., Gatti Matteo, Sottile Francesco, Sirotti Fausto, Asensio Maria C., Ouerghi Abdelkarim (Article) Publié: Physical Review B, vol. 95 p.085410 (2017) |
Overtones of interlayer shear modes in the phonon-assisted emission spectrum of hexagonal boron nitride Auteur(s): Vuong P., Cassabois G., Valvin P., Jacques V., Cusco R., Artus L., Gil B. (Article) Publié: Physical Review B, vol. 95 p.045207 (2017) Texte intégral en Openaccess : |
Stacking fault and defects in single domain multilayered hexagonal boron nitride Auteur(s): Henck Hugo, Pierucci Debora, Ben Aziza Zeineb, Silly Mathieu G., Gil B., Sirotti Fausto, Cassabois G., Ouerghi Abdelkarim (Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 110 p.023101 (2017) |
Indirect excitons and electron-phonon interaction in hexagonal boron nitride Auteur(s): Cassabois G.
Conférence invité: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016) (Orlando, US, 2016-10-05) |
Phonon symmetries in hexagonal boron nitride probed by incoherent light emission Auteur(s): Vuong P., Cassabois G., Valvin P., Jacques V., van Der Lee Arie, Zobelli Alberto, Watanabe Kanji, Taniguchi Takashi, Gil B. (Article) Publié: 2D Materials, vol. 4 p.011004 (2016) Texte intégral en Openaccess : |