Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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Photo de GIL Bernard
GIL Bernard      
Organisme : CNRS
Directeur de Recherche
(HDR)
Encadre la thèse de : VUONG P., ELIAS C.,
Bernard.Gil_AT_umontpellier.fr
0467143924
Bureau: 06.0, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Administration Nationale:
  • Elu/nommé au comité national CNRS
Administration Locale:
  • Membre d'un pool d'experts
Distinctions
  • Chaire d'excellence
Curriculum Vitae:     
Professeur Honoris Causa à la Faculté de Physique de l'Université de Saint Pétersbourg
Docteur Honoris Causa université Meijo de Nagoya
Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Autre
Dernieres productions scientifiques :
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+ Structural and Optical Properties of Zn1-xMgxO Prepared by Calcination of ZnO + Mg(OH)2 after Hydro Micro Mechanical Activation doi link

Auteur(s): Vuong Thi quynh phuong, Lair Valentin, Lacoste Francois, Halloumi Samy, Coindeau Stéphane, Thiel Julien, Shubina T., Pauthe Monique, Gil B.(Corresp.)

(Article) Publié: Annalen Der Physik, vol. p.1800379 (2019)

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+ Photoluminescence of GaN and AlxGa1-xN (x≤ 0.2) doped with Mg and grown by molecular beam epitaxy

Auteur(s): Leroux Mathieu, Brault Julien, Matta Samuel, Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Contreras S., Juillaguet S., Konczewicz L., Gil B., Brochen S.

(Affiches/Poster) JNMO (Cap Esterel-Aguay, FR), 2018-06-13

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+ (Al,Ga)N quantum dots for deep UV LEDs

Auteur(s): Brault Julien, Matta Samuel, Al khalfioui Mohamed, Korytov M, Ngo T. H., Vuong P., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Chenot S., Vennegues P, Duboz J. y., Massies Jean, Chaix C., Peyre H., Juillaguet S., Contreras S., Gil B.

Conference: International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP, 2018-11-11)

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+ Effect of Temperature on Electrical Transport Properties of MBE grown Mg-doped GaN and AlGaN hal link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Juillaguet S., Peyre H., Al khalfioui Mohamed, Matta Samuel, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Gil B., Brault Julien

(Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11

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+ Photoluminescence study of Mg-doped GaN and AlxGa1-xN (x<0.4) grown by molecular epitaxy hal link

Auteur(s): Brault Julien, Leroux Mathieu, Matta Samuel, Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Peyre H., Contreras S., Juillaguet S., Gil B.(Corresp.)

(Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11

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