Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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PAILLET Matthieu      
Organisme : CNRS
Chargé de Recherche

Encadre la thèse de : TRAN H. N., BAKARAKI A.,
matthieu.paillet_AT_univ-montp2.fr
0467143402
Bureau: 9, Bât: 11 - Site : Campus Triolet

Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
  • Physique/Matière Condensée/Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique
Dernieres productions scientifiques :
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+ Growth protocols and characterization of epitaxial graphene on SiC elaborated in a graphite enclosure doi link

Auteur(s): Kumar B., Baraket M., Paillet M., Huntzinger J.-R., Tiberj A., Jansen A. G. M., Vila L., Cubuku M., Vergnaud C., Jamet M., Lapertot G., Rouchon D., Zahab A. A., Sauvajol J.-L., Dubois L., Lefloch F., Duclairoir F.

(Article) Publié: Physica E: Low-Dimensional Systems And Nanostructures, vol. 75 p.7-14 (2016)

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+ Combined Raman spectroscopy and reflection/transmission measurements for graphene characterization hal link

Auteur(s): Bayle M., Reckinger Nicolas, Huntzinger J.-R., Felten Alexandre, Bakaraki A., Landois P., Colomer Jean-Francois, Henrard Luc, Zahab A. A., Sauvajol J.-L.(Corresp.), Paillet M.

Conference: NanoImagine. Graphene 2015 (Bilbao, ES, 2015-03-10)

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+ Dependence of the Raman spectrum characteristics on the number of layers and stacking orientation in few-layer graphene doi link

Auteur(s): Bayle M., Reckinger Nicolas, Huntzinger J.-R., Felten Alexandre, Bakaraki A., Landois P., Colomer Jean-Francois, Henrard Luc, Zahab A. A., Sauvajol J.-L., Paillet M.

(Article) Publié: -Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, vol. 252 p.2375-2379 (2015)

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+ Interlayer Dependence of G-Modes in Semiconducting Double-Walled Carbon Nanotubes doi link

Auteur(s): Levshov D., Michel T.(Corresp.), Arenal Raul, Tran H. N., Than X. T., Paillet M., Yukzuk Yuri, Sauvajol J.-L.

(Article) Publié: The Journal Of Physical Chemistry C, vol. 119 p.23196-23202 (2015)

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+ Structural properties and dielectric function of graphene grown by high-temperature sublimation on 4H-SiC(000-1) doi link

Auteur(s): Bouhafs C., Darakchieva V., Persson I. l., Tiberj A., Persson P. o. a., Paillet M., Zahab A. A., Landois P., Juillaguet S., Schoeche S., Schubert M., Yakimova R.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 117 p.085701 (2015)

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